与Si（硅)元件相比，SiC元件更容易实现高耐压，且开关损耗小，所以在降低装置电耗方面备受瞩目，预计全球市场今后五年的年均增长率※1将达到35％左右。 
本次的出货样品是由使用SiC元件的SBD（肖特基势垒二极管）和使用Si元件的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）构成的混合模块。产品系列从600V～1200V、乃至1700V，可广泛应用于各种工业机械的节能和小型化。

※1 数据来源 : IHS 2014。自2014年起五年的年均增长率。 
本模块采用的SiC元件中运用了本公司在自2012年度起参与“TPEC（筑波电力电子星座）”共同研究体后、与国立研究开发法人产业技术综合研究所共同研究的成果。

2. 产品特点

（1）降低电力转换时的损耗，有助于设备节能。  与以往的Si元件相比，可以大幅降低损耗，实现功率调节器的高效节能。就本公司生产的变频器而言，设备总损耗较以往机型降低了约30％。
（2）大功率和高频动作，节省设备占地空间  与传统的Si元件相比，产品的输出功率最大提高至1.5倍（1700V产品）。在维持装置原有大小的同时，扩大了容量。比如本公司生产的变频器机容量从315kW扩大至450kW，以此可以减少装置的设置台数。

产品的动作频率最大可提升至2倍（1700V产品），且损耗保持不变。过滤器等周边元器件也因此可实现小型化。 
凭借上述优点，产品可节约设备的占地空间。

（3）产品齐全，应用广泛 
产品系列得到扩充与完善，包括600V、1200V和1700V等从小到大各种不同容量的产品。 
可广泛运用于变频器、伺服、不间断电源装置、功率调节器等工业机械。

3. 产品规格、出货和销售时期

※3 PIM（Power Integrated Module）: 是指将三相整流桥、制动器、三相变频器电路封装成一个模块的电路。

4. 销售目标 
2018年度　30亿日元　

5. 产品咨询部门 
富士电机（中国）有限公司 半导体营业本部 半导体营业部