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如今，人们对地球环境越来越关心，在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中，可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。
其中，MOSFET(注1)作为电力转换过程所使用的主要装置，对其降低损耗的要求越来越高。
此次，富士电机推出的Super J-MOS系列产品，采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构(注2)，可大幅度地降低损耗。
据此，可通过提高设备的电力变换效率减少耗电，为实现低碳社会作贡献。
2．产品特点
降低通态电阻70％(注3)，达到业内最高水平的低损耗。
结合最新降低开关损耗的技术，使元器件总损耗降低14％(注4)。
3．主要规格(代表机型)
|
额定电压(V) |
额定电流(A) |
通态电阻(Ω) |
封装 |
上市时期 |
|
600V |
20A |
0．19 |
TO-220F,TO-22O |
即日 |
|
30A |
0．125 |
2012年 4月 |
||
|
47A |
0．07 |
TO-3P,TO-247 |
2012年 4月 |
|
|
68A |
0．04 |
TO-247 |
2012年 4月 |
4．主要用途
服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备；
面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。
5．询问处
富士电机株式会社 营业本部 电力电子设备统括本部 第3统括部 营业第1部
+81-03-5435-7256
【报道相关询问处】
富士电机株式会社 宣传及IR部
+81-03-5435-7206
注1 MOSFET：
注2 SJ结构：电荷非平衡Superjunction结构
其特点是，由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构，可使n区的杂质浓度提高，所以可大幅度降低阻值。
以往面状结构的MOSFET，由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区(过流层)来确保耐压水平的，因此通态电阻无法降至一定值以下。
而SJ结构，是通过在n区形成p区，这既可以在纵向又可在横向延展过流层，因此，即使n层阻抗下降，依然可以确保耐压水平。据此，可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。
注3、4 与本公司以往产品相比
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